闪存颗粒与闪存芯片（什么叫闪存颗粒）-同畅达科技网

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不是。内存芯片包括着内存上使用的芯片。内存颗粒却是明确指出。就像组板芯片和主板芯片组一样。虽然说法听着差不多，但是实际上是有区别的。

问题一：闪存颗粒与内存颗粒的区别内存颗粒是内存条上芯片，就是黑色的长方形一块一块的那个。至于闪存颗粒跟内存颗粒没什么关系，是两个概念。

闪存芯片根据内部架构分为SLC、MLC、TLC等，闪存颗粒是由多层闪存芯片构成的方形体。闪存芯片颗粒直接影响着固态硬盘的存取速率、使用寿命、生产成本等。

内存颗粒是基于晶圆生产出来的，晶圆一般有6英寸、8英寸及12英寸规格不等。晶圆上一个小块，一个小块，就是晶片晶圆体，也名Die，经过封装之后就成为一个闪存颗粒。

解释：TLC是一种闪存颗粒，相比于MLC（multi-levelcell）和SLC（single-levelcell），TLC的存储密度更高，成本更低。SLC颗粒。长城固态硬盘质量非常好，读写速度快，采用闪存作为存储介质，使用的是SLC颗粒技术。

不存在绝对的好和坏，这个完全看产品的性能定位和成本控制。无论是TLC还是MLC，都有自己的优点和缺点。通常来说，MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流。

硬件情况不同：大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。

SLC：单层单元存储技术。MLC：多层单元存储技术。TLC：三层单元存储技术。特点不同 SLC：在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。MLC：架构可以为每个单元存储2个Bit。

结构不同 mlc是双层，tlc是三层，qlc是四层。单个cell存储数据量不同 mlc为2bit，tlc为3bit，qlc为4bit。理论擦写次数不同 mlc是3000-10000，tlc是500-1000，qlc是150。

MLC闪存，多层式存储，双层存储电子结构，存储密度高于SLC，寿命在3000-5000次，应用民用中高端SSD上。

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